晶振分類(lèi)
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常見(jiàn)問(wèn)題
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- 產(chǎn)品型號(hào)：64245624
- 頻率：12.288MHZ~52.0MHZ
- 尺寸：2.0*1.6mm
- 產(chǎn)品介紹：KDS大真空溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本...
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溫補(bǔ)晶振DSB211SDT,KDS大真空有源晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振
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溫補(bǔ)晶振DSB211SDT,KDS大真空有源晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振,溫補(bǔ)晶振(TCXO)產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5PPM~2.0PPM,常用頻率:26M,33.6M,38.4M,40M.因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機(jī),WiMAX和無(wú)線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無(wú)鉛.
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|
項(xiàng)目 |
TCXO |
| DSB211SDT | |
| 出力周波數(shù) | 12.288MHZ~52.0MHZ |
| 標(biāo)準(zhǔn)周波數(shù) | 16.3676/ 16.367667/ 16.368/ 16.369/ 16.8/ 26/ 38.4 MHz |
| 電源電壓范圍 | +1.7V~+3.5V |
| 電源電壓 | ＋1.8V/ 2.8V/ ＋3.0V/ ＋3.3V |
| 出力電壓 | 0.8Vp-p min |
| 出力負(fù)荷 | 10kΩ//10pF |
| 周波數(shù)安定度 | ±1.5×10−6 max. |
| 溫度特性 |
±0.5×10−6 max./ −30℃＋85℃@CDMA ±0.5×10−6 max. /−40℃＋85℃@GSM |
| 電源電壓特性 | ±0.2×10−6 max（. VCC±5%） |
| 負(fù)荷變動(dòng)特性 | ±0.2×10−6 max（. 10kΩ//10pF±10%） |
| 起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max. |
| 包裝單位 | 2000pcs./ree（l φ180） |
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自1959年建國(guó)以來(lái),我們?cè)贒aishinku總是確保全球消費(fèi)者的信任通過(guò)提供產(chǎn)品滿(mǎn)足需要投身于更大的復(fù)雜性,在我們的“依賴(lài)”的三個(gè)哲學(xué):“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品,”和“可靠的公司.“作為一個(gè)全球石英設(shè)備制造商,我們努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便、更舒適,通過(guò)開(kāi)發(fā)水晶設(shè)備對(duì)全球環(huán)境友好.
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常溫電阻特性主要是中心值與穩(wěn)定性.電阻中心值與控制上限的距離與產(chǎn)品的合格率息息相關(guān),在測(cè)試系統(tǒng)中可以用平均值代替中心值,一般要求產(chǎn)品（石英晶振）平均值是控制上限的50%左右.做制程改善時(shí)重點(diǎn)關(guān)注點(diǎn)膠與污染.芯片不良在電阻大這一不良項(xiàng)中出現(xiàn)次數(shù)會(huì)比較多,特別是新的芯片供貨商或開(kāi)發(fā)新頻點(diǎn)時(shí).
境保護(hù)方針.jpg)
DAISHINKU組有助于創(chuàng)建一個(gè)通過(guò)環(huán)境保護(hù)活動(dòng)逐步發(fā)展中社會(huì)與環(huán)境的和諧.遵守法律和監(jiān)管要求,DAISHINKU觀察法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā).在所有領(lǐng)域的業(yè)務(wù)活動(dòng),從開(kāi)發(fā),生產(chǎn)和銷(xiāo)售水晶的應(yīng)用產(chǎn)品,Daishinku集團(tuán)業(yè)務(wù)策略促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).主動(dòng)在能源和資源節(jié)約通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂莆镔|(zhì)與環(huán)境的影響和減少它們的使用..jpg)
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