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- 產(chǎn)品型號(hào)：82725557
- 頻率：1~125MHZ
- 尺寸：5.0*7.0mm
- 產(chǎn)品介紹：產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到電子數(shù)碼產(chǎn)品，衛(wèi)星GPS導(dǎo)航，智能電腦，智能手機(jī)等產(chǎn)品.
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津綻晶振,石英晶體振蕩器,NAOD75晶振,臺(tái)灣進(jìn)口晶振
振蕩器NAOD75,津綻晶振,NSK普通有源晶體石英晶體振蕩器在設(shè)計(jì)時(shí)就與各款型號(hào)IC匹配等相關(guān)技術(shù),使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).
| 型號(hào) | NAOH 53 |
| 頻率范圍 | 1.0~125.00MHZ |
| 頻率穩(wěn)定度 | A:±100 B:±50 C: ±30 D: ±25 |
| 輸出電平 | CMOS |
| 工作溫度 | -10℃~+60℃,-20℃~+70℃,或客戶要求 |
| 保存溫度 | -40℃~+85℃ |
| 負(fù)載電容 | 15pF |
| 電源電壓 | 5.0V±10%/3.3V±10%/2.8V±5%/2.5V±5%/1.8V±5% |
| 輸出對(duì)稱 | 40% ~ 60% or 45% ~ 55%(at 55%V DC) |
| 老化率 | ±3ppm/year |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊
抗沖擊是指產(chǎn)品晶體可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種晶體產(chǎn)品,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
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臺(tái)灣津綻晶體科技是專業(yè)的石英晶振制作商,公司創(chuàng)于臺(tái)灣1996年成立,創(chuàng)建品牌為【NSK】1997年在香港成立分公司,1998年在深圳成立分部,2001年到廣東省東莞市投資建廠,主要生產(chǎn)石英晶體諧振器,無源晶振,與石英晶體振蕩器,有源晶振,東莞生產(chǎn)線主要生產(chǎn)小尺寸SMD晶體系列.臺(tái)灣津綻公司主要生產(chǎn)產(chǎn)品為全系列石英晶體振盪子即：石英晶體諧振器,(DIP晶體 SMD 晶體),石英晶體振盪器 (SMD OSCILLATOR) 和石英晶體控制振盪器 (SMD晶振 VCXO壓控晶振).臺(tái)灣津綻石英科技股份有限公司擁有超過 10 年以上的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),秉持著持續(xù)開發(fā)與專業(yè)技術(shù)
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