DS2016A/DS2520A/DS3225A低相位抖動/低相位噪聲的差分晶體振蕩器HCSL和LVDS和LV-PECL
DSO323SJABC-212.5000MHZ 六腳差分3225 XO LVDS 3.3V 50PP -40+85
開發(fā)實現(xiàn)世界一流低相位抖動/低相位噪聲的差分輸出晶體振蕩器
大信KDS晶振商株式會社（社長：飯冢稔）很高興地宣布,我們開發(fā)了實現(xiàn)世界頂級低相位抖動*2/低相位噪聲的差分輸出晶體振蕩器*1（DS2016A/DS2520A/DS3225A系列）.*3
近年來,隨著生成式AI的快速普及,云服務(wù)的擴展和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)的多樣化,數(shù)據(jù)中心之間的通信流量不斷增加.準(zhǔn)確的信號源對于高速處理大量數(shù)據(jù)和提高通信質(zhì)量至關(guān)重要.作為信號源的石英晶體器件需要抑制信號波動（稱為相位抖動/相位噪聲）并產(chǎn)生高頻.
這種新型差分晶振輸出實現(xiàn)了世界一流的低相位抖動（156.25MHz時典型值為36fs,LVDS,傳統(tǒng)產(chǎn)品：典型值為70fs）,有助于提高大容量、高速通信的質(zhì)量.產(chǎn)品的頻率將擴展到400MHz,以滿足未來對更高頻率的需求.這些產(chǎn)品旨在滿足對大容量/高速通信的需求,而AI技術(shù)已越來越多地改變了這種需求.

該產(chǎn)品采用了Arkh系列晶體諧振器,該諧振器源自光刻工藝*4,可有效產(chǎn)生高頻.雖然外觀與采用陶瓷封裝的傳統(tǒng)產(chǎn)品相同,但這些產(chǎn)品采用了經(jīng)過檢查的晶體諧振器,消除了諧振器的缺陷.由于諧振器內(nèi)部不使用粘合劑,因此這些貼片晶振產(chǎn)品確保了出色的可靠性,包括老化特性.使用經(jīng)過檢查的晶體諧振器,可以在世界各地的任何生產(chǎn)現(xiàn)場進行組裝,從BCP的角度來看,這些產(chǎn)品也非常出色.Arkh系列晶體諧振器采用WLP（晶圓級封裝）結(jié)構(gòu),其中三個石英晶體晶片鍵合在一起.使用更大的石英晶體晶片可以提高單位面積的產(chǎn)量.這意味著可以顯著降低每個產(chǎn)品的固定成本.為了應(yīng)對未來對晶體振蕩器的需求,預(yù)計未來將迅速增長,無需擴大占地面積即可確保穩(wěn)定供應(yīng),例如建造新工廠,實現(xiàn)出色的性價比.
我們的目標(biāo)是將Arkh.2G作為一個系列擴展到所有進口晶振晶體振蕩器,包括差分輸出晶體振蕩器,并實現(xiàn)完全自動化生產(chǎn).此外,我們還將努力擴大其產(chǎn)品陣容,以滿足各種市場的需求,從而創(chuàng)造石英晶體器件的新價值.

類型	DS2016AK	DS2016AJ	DS2016AD
	DS2520AK	DS2520AJ	DS2520AD
	DS3225AK	DS3225AJ	DS3225AD
大小	2.0×1.6×0.7 毫米
	2.5×2.0×0.85 毫米
	3.2×2.5×1.1 毫米
輸出規(guī)格	LV-PECL 抗體	有源晶振LVDS	HCSL 公司
輸出頻率范圍	標(biāo)準(zhǔn)頻率 100、125、156.25MHz
電源電壓	+2.5V/+3.3V	+1.8V/+2.5V/+3.3V
頻率容差/	±50×^10-6最大值/-40~+85°C， - 40~+105°C
工作溫度范圍	±100×^10-6最大值/-40 至 +85°C、-40 至 +105°C、-40 至 +125°C
相位抖動	-	50fs 典型值 @Vcc=+1.8V	52fs 典型值 @Vcc=+1.8V
@fo=156.25MHz	48fs 典型值 @Vcc=+3.3V	36fs 典型值 @Vcc=+3.3V	42fs 典型值 @Vcc=+3.3V

[用途]
AI服務(wù)器、光收發(fā)器、汽車以太網(wǎng)、光傳輸設(shè)備、5G基站等.
[特征]
支持三種類型的石英晶振差分信號（HCSL、LVDS和LV-PECL）
世界一流的低相位抖動：156.25MHz時為36fs（典型值）,LVDS
世界一流的低相位噪聲：f0=156.25MHz,Vcc=3.3V,LVDS輸出
*1）差分輸出晶體振蕩器：
輸出兩個差分信號（電流反轉(zhuǎn)方向的信號）以消除共模噪聲（共噪聲成分）的晶體振蕩器
*2）相位抖動：
信號脈沖波形的相位從其理想位置來回移動的現(xiàn)象.相位在10Hz以上的時間頻率波動稱為抖動.
*3）相位噪聲：
石英晶體振蕩器產(chǎn)生的標(biāo)稱頻率附近無用能量發(fā)射的通用術(shù)語
*4）光刻工藝：
使用光刻和蝕刻技術(shù)從石英晶體晶片中加工石英晶體坯料.與機械加工相比,該工藝可實現(xiàn)微加工,對于石英晶體器件的小型化和產(chǎn)生更高的頻率至關(guān)重要.

品牌	原廠代碼	型號	尺寸	頻率
KDS	1ZNA16000AB0P	DSX221G	2520	16.000M
KDS	1ZNA32000BB0B	DSX221G	2520	32.000M
KDS	ZC13727	DSX221SH	2520	24.000M
KDS	1ZN326000AB0A	DSX221SH	2520	26.000M
KDS	1ZN326000AB0A	DSX221SH	2520	26.000M
KDS	1C208000BC0R	DSX321G	3225	8.000M
KDS	7AD00800A1Y	DSX321G	3225	8.000M
KDS	7AD00800A1C	DSX321G	3225	8.000M
KDS	1C208000CE0R 汽車	DSX321G	3225	8.000M
KDS	1C208000CE0H	DSX321G	3225	8.000M
KDS	1C208000EE0BL	DSX321G	3225	8.000M
KDS	7AD00800A1X汽車	DSX320GE	3225	8.000M
KDS	1ZCM08000EE0A汽車	DSX320G	3225	8.000M
KDS	1C208000EZ0G汽車	DSX321G	3225	8.000M
KDS	1N210000EE0X	DSX321G	3225	10.000M
KDS	7AD01200A1R	DSX321G	3225	12.000M
KDS	1N212000BC0AK	DSX321G	3225	12.000M
KDS	1C213080CC0A	DSX321G	3225	13.080M
KDS	1C232000ABOV	DSX321G	3225	32.000M
KDS	1N254000BB0M	DSX321G	3225	54.000M
KDS	1ZCM12000BC0A	DSX320G	3225	12.000M
KDS	1C216000EE0AW	DSX321G	3225	16.000M
KDS	1N216000EE0BE	DSX321G	3225	16.000M
KDS	1C216000BF0B	DSX321G	3225	16.000M
KDS	1C319200AA0A	DSX321G	3225	19.200M
KDS	1C220000AA0K	DSX321G	3225	20.000M
KDS	1C224000BE0K	DSX321G	3225	24.000M
KDS	1N225000BC0CT	DSX321G	3225	25.000M

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