愛普生有源晶振為儀器設備提供便捷X1G005581004300，愛普生晶振公司是一家非常具有創新能力的制造商，憑著自身在晶體行業幾十年的經驗，以及對于產品本身有著獨特的見解，能夠快速針對用戶的需求開發出適合的晶振產品，同時為市場提供高性能的有源晶振，隨之能力的增長，推出SG-8018CB晶振，編碼X1G005581004300，頻率26.000000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)5.00 x 3.20 x 1.30 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC，這是一款CMOS輸出晶振，帶電壓晶振，石英晶體振蕩器，具備高精度，低電壓，低抖動之特點，是儀器設備，智能家居，5G模塊，智能音響等應用的最佳選擇。

伴隨信息化社會的進程,現在石英晶振元器件已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產品之中,日趨重要. 愛普生拓優科夢（Epson — yocom）將進一步究極用精微加工發揮“石英”材料的優越性能的“QMEMS”技術,創造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發展以及實現更舒暢的未來而竭誠奉獻. 

Product Number	Model	Frequency	醫療電子專用晶振	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005581002600	SG-8018CB	12.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002700	SG-8018CB	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002800	SG-8018CB	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581002900	SG-8018CB	27.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003000	SG-8018CB	27.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003100	SG-8018CB	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003200	SG-8018CB	32.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003300	SG-8018CB	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003400	SG-8018CB	8.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003500	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003600	SG-8018CB	14.745600 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003700	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003800	SG-8018CB	12.288000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581003900	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004000	SG-8018CB	33.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004100	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004200	SG-8018CB	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004300	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004400	SG-8018CB	26.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005581004500	SG-8018CB	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm