晶振都會有他相對應的規格參數，負載電容、額定頻率范圍、頻率公差（標準）、工作溫度、儲存溫度、激勵功率等。本文兆現電子將對負載電容這一參數做出明確的解釋。我們平時跟客戶溝通的時候經常會問他們所需求晶振的負載電容是多少，然而可能連我們自己都不是很明白負載電容究竟是什么？那么這個負載電容對于石英晶振究竟具有什么樣的含義呢？
負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。也可以看作電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯諧振晶振的低負載電容晶振；另一個為并聯諧振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。

負載電容是晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
晶振的負載電容是分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十PF。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般客戶向我們詢問晶振時我們都會問他們所需晶振的負載電容是多少。晶振上接的一個電阻是反饋作用，使振蕩器容易起振。

晶振負載電容取值直接關系到調頻的準確度。如果負載電容不夠準確，那么買來的晶體準確度就會差，關于負載電容的計算方法即從晶體兩端看進去電容的總和。
計算公式：晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd，Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內部電容）+△C（PCB上電容）一般為3至5pf。

項目	符號	精工晶振SSP-T7-F規格說明	條件
公稱周波數	f_nom	32.768kHz	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
儲存溫度范圍	T_stg	-55°C to +125°C	裸存
工作溫度范圍	T_use	-40°C to +85°C
激勵功率	DL	0.1μW (1.0μW Max.)	如果你有最大激勵功率為1.0μW 的需求,請聯系我們.
周波數容許偏差（標準）	f_tol	±20 × 10^-6, ±50 × 10^-6	+25°C,DL=0.1μW 如需更嚴格的公差,聯系我們
頂點溫度	Ti	+25°C ±5°C
頻率溫度系數	B	(-0.035±0.01) × 10^-6/ °C² Max.
負載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可指定
串聯電阻（ESR）	R₁	65kΩ Max.
分路電容	C₀	0.8pF Typ.
頻率老化	f_age	±3 ×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

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此文關鍵字：晶振石英晶振晶體元件負載電容

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